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周一(yī)至周日(rì) 8:00-18:00
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WF16H31K
WF16H31K系列是(shì)一(yī)款低(₩>™dī)功耗、鎖存型霍爾開(kāi)關傳感 器(qì) 。芯片內↕↓₩(nèi)置溫度補償電(diàn)路(lù),時(shíσ× ₩)鐘(zhōng)邏輯電(diàn)路(lù),保證芯γ✘片 穩定的(de)工(gōng)作(zuò)點和(hé)開(kāi$★)關頻(pín)率。施加磁場(chǎng)B, 當|B|>|BOP☆∏|時(shí), 芯片輸出低(dī)電(diàn)平,且♠®≥保持低(dī)電(diàn)平。直到(dào)|B|>|σ←÷εBRP|時(shí),芯 片輸出高(gāo)電(₹±∏diàn)平。
WF16H31K可(kě)以在1.8V至5.5V✘£的(de)供電(diàn)電(diàn)壓範圍內(nèi)工(gō✘↔∞ng)作(zuò), 并采用(yòng)标準的(de§)SOT-23-3L和(hé)TO-92S封裝。
産品特點:
●鎖存型工(gōng)作(zuò)模式 ×$₽
●寬工(gōng)作(zuò)電(diàn)壓範圍:1.8V~π✘≤5.5V
●高(gāo)磁場(chǎng)靈敏度
●超低(dī)阈值:Bop=±20 Gauss Brp✔€¶♥=20 Gauss
●高(gāo)阈值: Bop=±48 Gauss Brp=48 G♦←auss
●平均工(gōng)作(zuò)電(diàn)流 I=2.25 mA @V∏γDD=1.8V (典型值)
●卓越的(de)ESD性能(néng):HBM× & 8KV
●工(gōng)作(zuò)溫度範圍:-40℃~85℃
●符合RoHS标準
典型應用(yòng)領域:
●無刷電(diàn)機(jī)
●速度檢測
●液位檢測
●接近(jìn)式位置開(kāi)關
WF16H31K系列是(shì)一(yī)款'& 低(dī)功耗、鎖存型霍爾開(kāi)關傳感器(qì)。芯片內(nèi)置溫度©∞ ♣補償電(diàn)路(lù),時(shí)鐘(zhōng)邏輯電(β®'diàn)路(lù),保證芯片穩定的(de)工(gōng)作(zuò)¥★"點和(hé)開(kāi)關頻(pín)率。施加磁場(chǎng)B,當|B|< >|BOP|時(shí),芯片輸出低(dī)電(diδΩàn)平,且保持低(dī)電(diàn)平。直<≥→>到(dào)|B|>|BRP|時( ε₩shí),芯片輸出高(gāo)電(diàn)αδ...
WF57H02K是(shì)一(yī)款集成了(le)高(gāo)度匹配的( δ de)2D(X軸、Y軸)霍爾傳感器(qì);低(dī)πε功耗,低(dī)噪聲,高(gāo)精度零漂運放(fàng);高(gāo ₹)性能(néng),低(dī)阻抗MUX;集成高(gā§γ↕©o)精度16BitADC,數(shù)字輸出旋轉位置角度的(de)傳∏♠λ感器(qì)芯片。其通(tōng)訊接口SPI或I2C可(kě)選,外(wà€i)部主機(jī)可(kě)以采用(yòng)SPI.•>..
WF17H01K是(shì)一(yī)款低(dī)功&→<耗霍爾開(kāi)關傳感器(qì),專為(wèi)空(kōng)間(jiān¥ε)緊湊系統和(hé)電(diàn)池電(diàn)量敏感系統而設計¥→∏(jì)。該芯片可(kě)以提供多(duō)種磁場(≤chǎng)阈值、開(kāi)關工(gōng)作(zuò)頻(pín)率和™α(hé)封裝形式以适配各種應用(yòng)。當施加的(d←"↕e)S極或N極磁感應強度超過工(gōng)作™☆✔(zuò)點BOP時(shí),芯片輸出低(dī)電(diàn)...
WF13H01K是(shì)一(yī)款集成了(le)隧道(dào)磁阻(TM★∑αλR)技(jì)術(shù)和(hé)CMOS技(jì)術(shù)的(d♦★βe)磁開(kāi)關傳感器(qì)。具有(yǒu)高(gāo♦ε≈↑)精度、高(gāo)速、低(dī)功耗、高(gāo)靈敏度等特性,适用(yòn<♣ g)于工(gōng)業(yè)類電(diàn)↑ε←÷子(zǐ)、消費(fèi)類電(diàn)子§↕(zǐ)等磁場(chǎng)開(kāi)關檢測。芯片內(nèi)部電(diàn✔§ §)路(lù)包含電(diàn)壓發生(shēng)器(qì)、比較器λ↓↕ (qì)、數(shù)字邏輯控制(zhì)模...
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