WF13H01K是(shì)一(yī)款集成了(le)隧道(♣¥dào)磁阻(TMR)技(jì)術(shù)和(hé) CMOS技(jì)術λ✘(shù)的(de)磁開(kāi)關傳感器(qì)。具有(yǒu)♠≠♥高(gāo)精度、高(gāo)速、低(dī≥≈©) 功耗、高(gāo)靈敏度等特性，适用(yòng)于工¥σ(gōng)業(yè)類電(diàn)子(zǐ)、消費(f₩'Ωèi)類 電(diàn)子(zǐ)等磁場(chǎn÷™•g)開(kāi)關檢測。芯片內(nèi)部電(diàn)路(lù)包含電(di±↑∞λàn)壓發生(shēng) 器(qì)、比較器(qì)、數(s≤¥≤×hù)字邏輯控制(zhì)模塊、阈值修調模π‍✔✔塊和(hé) CMOS輸出電(diàn)路(lù)。KTM13&‌01具有(yǒu)寬工(gōng)作(zuò)電(diàn)≥₹♣✔壓範圍和(hé) 寬工(gōng)作(zuò)溫度× $範圍。該系列芯片可(kě)以提供多(duō)種磁場(chǎng)阈 值®↑✔ 、開(kāi)關工(gōng)作(zuò)頻(pín)率和(hé)封裝形式以≤≠ε&适配各種應用(yòng) 。

WF13H01K 是(shì)一(yī)≈‍∏款全極型磁場(chǎng)檢測開(kāi)關,可(kě✔♥•)以以極低(dī)的(de) 電(diàn) 流消耗，提供全極磁響δ®•應。它檢測平行(xíng)于芯片封裝 表面的(de)磁場(chǎng)，↑&✘$當磁場(chǎng)強度大(dà)于工(gō₹↕ng)作(zuò)點(BOP)時(shí)，開(kāi) 關輸出✘Ω↑≤低(dī)電(diàn)平;當磁場(chǎng)強度小(xi£≠Ωǎo)于釋放(fàng)點(BRP)時(shí)， 開(kβ®✔āi)關輸出高(gāo)電(diàn)平。該芯片可(∑σδkě)以在1.8V至5.5V的(de)供電(diàn)電(diàn) 壓範λ★σφ圍內(nèi)工(gōng)作(zuò)，并采用(yòng)标準的(d♦★e)SOT-23-3L和(hé)TO-92S ∏♠封裝。

産品特點： 

● 超低(dī)功耗 - 50Hz版本：1¶Ω₹60nA@3.0V - 連續工(gōng)作(zuò)版本：1.£®9uA@3.0V 

● 寬工(gōng)作(zuò)電(diàn)壓範圍：1.8V~♦λ5.5V 

● 磁場(chǎng)阈值可(kě)選(Bop)

- BOP=±45Gs BRP=±36Gs

- BOP=±30Gs BRP=±21Gs

- BOP=±18Gs BRP=±12Gs

- BOP=±9 Gs BRP=±6 Gs

- BOP=±7 Gs BRP=±4 Gs 

● 全極磁場(chǎng)檢測 

● CMOS推挽輸出 

● 封裝：SOT-23-3L TO-92S 

● 工(gōng)作(zuò)溫度範圍：-4∏↔£0℃~85℃ 

● 卓越的(de)ESD性能(néng)：HBM 8KV&n ‌&★bsp;

● 符合RoHS标準

典型應用(yòng)領域： 

● 水(shuǐ)表、氣表、流量計(jì)&nbα☆Ωsp;

● 非接觸式檢測 

● 電(diàn)子(zǐ)鎖、閥≥↓ 門(mén)位置檢測 

● 筆(bǐ)記本電(diàn)腦(nǎo)和(hé≥♦)平闆電(diàn)腦(nǎo)開(kāi)關檢測&nb&>↓sp;

● TWS耳機(jī)、手機(jī•π)